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12A塑封可控硅 T1210 TO-220F 双向晶闸管 三端可控硅T121012A塑封可控硅 T1210的脚位图：12A塑封可控硅 T1210的极限值：断态重复峰值电压 VDRM/VRRM ：600/800V通态均方根电流 IT(RMS) ：12A通态不重复浪涌电流 ITSM ：120A通态电流临界上升率 dIT/dt ：50A/μs门极峰值电流 IGM ：4A门极平均功率 PG(AV) ：1W存储温度 TSTG ：-40~+150℃工作结温 Tj ：-40~+125℃12A塑封可控硅 T1210的应用： 加热控制器、马达调速控制器、麻将机、搅拌机、直发器、面包机等家用电器12A塑封可控硅 T1210的电特性：符号参数数值单位IGT门极触发电流≤10mAVGT门极触发电压≤1.3VVGD门极不触发电压≥0.2VIH维持电流≤15mAIL擎住电流 I-III≤25mA擎住电流 II≤30mAdVD/dt断态电压临界上升率≥40V/μsVTM通态压降≤1.55VIDRM/IRRM断态重复峰值电流VD=VDRM=VRRM,TJ=25℃≤5μA断态重复峰值电流VD=VDRM=VRRM,TJ=125℃≤1mA12A塑封可控硅 T1210的封装外形尺寸：
贴片单向可控硅 BT169 SOT89-3L反脚 微触发可控硅 国产可控硅价格贴片单向可控硅 BT169的引脚图：贴片单向可控硅 BT169的应用： 脉冲点火器、负离子发生器、逻辑电路驱动、彩灯控制器、漏电保护器、吸尘器软启动贴片单向可控硅 BT169的极限值：TCASE=25℃符合参数数值单位VDRM/VRRM断态重复峰值电压600/800VIT(RMS)通态均方根电流0.8AIT(AV)通态平均电流0.5ITSM通态不重复浪涌电流8I2tI2t 值0.32A2sdIT/dt通态电流临界上升率50A/μsIGM门极峰值电流0.2APGM门极峰值功率0.5WPG(AV)门极平均功率0.1TSTG存储温度-40~+150℃Tj工作温度-40~+110贴片单向可控硅 BT169的电特性：符号参数数值单位MINMAXIGT门极触发电流10200μAVGT门极触发电压0.8VVGD门极不触发电压0.2IH维持电流3mAIL擎住电流4dVD/dt断态电压临界上升率10V/μsVTM通态压降1.5VIDRM/IRRM断态重复峰值电流VD=VDRM/VRRM,TJ=25℃5μA断态重复峰值电流VD=VDRM/VRRM,TJ=110℃100
16A双向可控硅 BT139 TO-263 贴片可控硅 小家电用可控硅16A贴片可控硅 BT139的应用： 加热控制器、调光/调速控制器、洗衣机、搅拌机、果汁机、电动工具、吸尘器等家用电器16A贴片可控硅 BT139的引脚图：16A贴片可控硅 BT139的极限值：符号参数数值单位VDRM/VRRM断态重复峰值电压600/800VIT(RMS)通态均方根电流16AITSM通态不重复浪涌电流140I2tI2t 值98A2sdIT/dt通态电流临界上升率I-II-III50A/μs通态电流临界上升率IV10IGM门极峰值电流2APGM门极峰值功率5WPG(AV)门极平均功率0.5TSTG存储温度-40~+150℃Tj工作结温-40~+12516A贴片可控硅 BT139的电特性：符号参数数值单位DEFIGT门极触发电流I-II-III≤5≤10≤25mA门极触发电流IV≤10≤25≤70VGT门极触发电压≤1.3VVGD门极不触发电压≥0.2IH维持电流≤10≤25≤30mAIL擎住电流I-III-IV≤15≤30≤40擎住电流II≤20≤40≤70dVD/dt断态电压临界上升率≥10≥20≥50V/μsVTM通态压降≤1.55VIDRM/IRRM断态重复峰值电流VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃≤5μA断态重复峰值电流VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃≤1mA16A贴片可控硅 BT139的封装外形尺寸：16A双向可控硅 BT139 TO-263 贴片可控硅 小家电用
三象限双向可控硅 BTA08-600TW TO-220A 双向可控硅 可控硅参数三象限双向可控硅 BTA08-600TW的引脚图：三象限双向可控硅 BTA08-600TW的特点：NPNPN 五层结构的硅双向器件P 型对通扩散隔离台面玻璃钝化工艺背面多层金属电极工作结温高，换向能力强高电压变化率 dV/dt大电流变化率 dI/dt符合 RoHS 规范封装形式：TO-220A三象限双向可控硅 BTA08-600TW的应用： 加热控制器、调光/调速控制器、洗衣机、搅拌机、果汁机、面包机、吸尘器等家用电器三象限双向可控硅 BTA08-600TW的极限值：符号参数数值单位VDRM/VRRM断态重复峰值电压600VIT(RMS)通态均方根电流8AITSM通态不重复浪涌电流80I2tI2t 值36A2sdIT/dt通态电流临界上升率50A/μsIGM门极峰值电流4APG(AV)门极平均功率1WTSTG存储温度-40~+150℃Tj工作结温-40~+125三象限双向可控硅 BTA08-600TW的电特性：符号参数数值单位IGT门极触发电流≤5mAVGT门极触发电压≤1.3VVGD门极不触发电压≥0.2IH维持电流≤10mAIL擎住电流 I-III≤10擎住电流 II≤15dVD/dt断态电压临界上升率≥20V/μsVTM通态压降≤1.55VIDRM/IRRM断态重复峰值电流VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃≤5μA断态重复峰值电流VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃≤1mA
