24小时咨询热线：13923893195
搅拌机用可控硅 T1235 TO-263 12A贴片可控硅贴片双向可控硅搅拌机用可控硅T1235的产品特征：NPNPN 五层结构的硅双向器件P 型对通扩散隔离台面玻璃钝化工艺背面多层金属电极工作结温高，换向能力强高电压变化率 dV/dt大电流变化率 dI/dt符合 RoHS 规范封装形式：TO-263搅拌机用可控硅T1235的脚位图：搅拌机用可控硅T1235的应用： 加热控制器、马达调速控制器、麻将机、搅拌机、直发器、面包机等家用电器搅拌机用可控硅T1235的极限参数(TCASE=25℃)：符号参数数值单位VDRM/VRRM断态重复峰值电压600/800VIT(RMS)通态均方根电流12AITSM通态不重复浪涌电流120I2tI2t 值78A2sdIT/dt通态电流临界上升率50A/μsIGM门极峰值电流4APG(AV)门极平均功率1WTSTG存储温度-40~+150℃Tj工作结温-40~+125搅拌机用可控硅T1235的电特性：符号参数数值单位IGT门极触发电流≤35mAVGT门极触发电压≤1.3VVGD门极不触发电压≥0.2IH维持电流≤35mAIL擎住电流 I-III≤50擎住电流 II≤60dVD/dt断态电压临界上升率≥500V/μsVTM通态压降≤1.55VIDRM/IRRM断态重复峰值电流VD=VDRM/VRRM,TJ=25℃≤5μA断态重复峰值电流VD=VDRM/VRRM,TJ=125℃≤1mA
16A 三端双向可控硅 T1610 插件双向可控硅一、T1610的脚位图：二、T1610的特点：NPNPN 五层结构的硅双向器件P 型对通扩散隔离台面玻璃钝化工艺背面多层金属电极工作结温高，换向能力强高电压变化率 dV/dt大电流变化率 dI/dt符合 RoHS 规范封装形式：TO-220A三、T1610的应用： 加热控制器、马达调速控制器、麻将机、搅拌机、直发器、面包机等家用电器四、T1610的极限参数(TCASE=25℃)：符号参数数值单位VDRM/VRRM断态重复峰值电压600/800VIT(RMS)通态均方根电流16AITSM通态不重复浪涌电流160I2tI2t 值144A2sdIT/dt通态电流临界上升率50A/μsIGM门极峰值电流4APG(AV)门极平均功率1WTSTG存储温度-40~+150℃Tj工作结温-40~+125五、T1610的电特性：符号参数数值单位IGT门极触发电流≤10mAVGT门极触发电压≤1.3VVGD门极不触发电压≥0.2IH维持电流≤15mAIL擎住电流 I-III≤25擎住电流 II≤30dVD/dt断态电压临界上升率≥40V/μsVTM通态压降≤1.55VIDRM/IRRM断态重复峰值电流VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃≤5μA断态重复峰值电流VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃≤1mA
三象限双向可控硅 T1610 TO-220F 塑封可控硅一、T1610的脚位图：二、T1610的应用： 加热控制器、马达调速控制器、麻将机、搅拌机、直发器、面包机等家用电器三、T1610的特点：NPNPN 五层结构的硅双向器件P 型对通扩散隔离台面玻璃钝化工艺背面多层金属电极工作结温高，换向能力强高电压变化率 dV/dt大电流变化率 dI/dt符合 RoHS 规范封装形式：TO-220F四、T1610的极限值：符号参数数值单位VDRM/VRRM断态重复峰值电压600/800VIT(RMS)通态均方根电流16AITSM通态不重复浪涌电流160I2tI2t 值144A2sdIT/dt通态电流临界上升率50A/μsIGM门极峰值电流4APG(AV)门极平均功率1WTSTG存储温度-40~+150℃Tj工作结温-40~+125五、T1610的电性能：符号参数数值单位IGT门极触发电流≤10mAVGT门极触发电压≤1.3VVGD门极不触发电压≥0.2IH维持电流≤15mAIL擎住电流 I-III≤25擎住电流 II≤30dVD/dt断态电压临界上升率≥40V/μsVTM通态压降≤1.55VIDRM/IRRM断态重复峰值电流VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃≤5μA断态重复峰值电流VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃≤1mA六、T1610的封装外形尺寸：
贴片可控硅 BTB16 TO-263 高结温可控硅 晶闸管引脚排列高结温可控硅 BTB16的产品特点：NPNPN 五层结构的硅双向器件P 型对通扩散隔离台面玻璃钝化工艺背面多层金属电极工作结温高，换向能力强高电压变化率 dV/dt大电流变化率 dI/dt符合 RoHS 规范封装：TO-263高结温可控硅 BTB16的应用： 高结温可控硅 BTB16应用于：加热控制器、调速控制器、洗衣机、搅拌机、果汁机、电动工具、吸尘器等家用电器。高结温可控硅 BTB16的极限值(TCASE=25℃)：符号参数数值单位VDRM/VRRM断态重复峰值电压600/800VIT(RMS)通态均方根电流16AITSM通态不重复浪涌电流160I2tI2t 值140A2sdIT/dt通态电流临界上升率50A/μsIGM门极峰值电流4APG(AV)门极平均功率1WTSTG存储温度-40~+150℃Tj工作结温-40~+125高结温可控硅 BTB16的电特性：符号参数数值单位SWCWBWIGT门极触发电流≤10≤35≤50mAVGT门极触发电压≤1.3VVGD门极不触发电压≥0.2IH维持电流≤15≤30≤50mAIL擎住电流 I-III≤25≤50≤70擎住电流 II≤30≤60≤80dVD/dt断态电压临界上升率≥40≥500≥1000V/μsVTM通态压降≤1.55V高结温可控硅 BTB16的封装外形尺寸：
